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长波长GaNAsBi/GaAs多量子阱激光器及其制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN103280695B, 申请日期: 2016-04-27, 公开日期: 2016-04-27
发明人:  曾徐路;  董建荣;  李奎龙;  孙玉润;  于淑珍;  赵勇明;  赵春雨;  杨辉
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一种1300nm~1550nm含铋化物的半导体激光器的制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN103259193B, 申请日期: 2016-03-09, 公开日期: 2016-03-09
发明人:  曾徐路;  董建荣;  李奎龙;  孙玉润;  于淑珍;  赵勇明;  赵春雨;  杨辉
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一种1300nm~1550nm含铋化物的半导体激光器的制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN103259193B, 申请日期: 2016-03-09, 公开日期: 2016-03-09
发明人:  曾徐路;  董建荣;  李奎龙;  孙玉润;  于淑珍;  赵勇明;  赵春雨;  杨辉
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