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氮化物半导体器件及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102280817A, 申请日期: 2011-12-14, 公开日期: 2011-12-14
发明人:  山田英司;  神川刚;  荒木正浩
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氮化物半导体发光器件和半导体发光器件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102144342A, 申请日期: 2011-08-03, 公开日期: 2011-08-03
发明人:  神川刚;  麦华路巴武吕;  伊藤茂稔
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氮化物半导体器件及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101540477B, 申请日期: 2011-06-15, 公开日期: 2011-06-15
发明人:  山田英司;  神川刚;  荒木正浩
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氮化物半导体晶片、氮化物半导体元件及其制造方法以及半导体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101997268A, 申请日期: 2011-03-30, 公开日期: 2011-03-30
发明人:  太田征孝;  神川刚
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发光装置及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101950921A, 申请日期: 2011-01-19, 公开日期: 2011-01-19
发明人:  神川刚;  川口佳伸
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氮化物半导体芯片及其制造方法以及半导体器件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101944480A, 申请日期: 2011-01-12, 公开日期: 2011-01-12
发明人:  神川刚;  太田征孝
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