Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 氮化物半导体芯片及其制造方法以及半导体器件 | |
| 其他题名 | 氮化物半导体芯片及其制造方法以及半导体器件 |
| 神川刚; 太田征孝 | |
| 2011-01-12 | |
| 专利权人 | 夏普株式会社 |
| 公开日期 | 2011-01-12 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明提供一种氮化物半导体芯片及其制造方法以及半导体器件。该氮化物半导体芯片由于改善的EL发射图案和改善的表面形态(平坦度)而提供增加的发光效能和提高的良率。该氮化物半导体激光器芯片(氮化物半导体芯片)包括：GaN基板，具有主生长面；以及形成在GaN基板的主生长面上的各氮化物半导体层。主生长面是相对于m面在a轴方向上具有偏角的面，并且各氮化物半导体层包括AlGaN下覆层。该下覆层形成为接触GaN基板的主生长面。 |
| 其他摘要 | 本发明提供一种氮化物半导体芯片及其制造方法以及半导体器件。该氮化物半导体芯片由于改善的EL发射图案和改善的表面形态(平坦度)而提供增加的发光效能和提高的良率。该氮化物半导体激光器芯片(氮化物半导体芯片)包括：GaN基板，具有主生长面；以及形成在GaN基板的主生长面上的各氮化物半导体层。主生长面是相对于m面在a轴方向上具有偏角的面，并且各氮化物半导体层包括AlGaN下覆层。该下覆层形成为接触GaN基板的主生长面。 |
| 申请日期 | 2010-07-02 |
| 专利号 | CN101944480A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201010221979.7 |
| 公开（公告）号 | CN101944480A |
| IPC 分类号 | H01L21/205 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 彭久云 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91584 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 神川刚,太田征孝. 氮化物半导体芯片及其制造方法以及半导体器件. CN101944480A[P]. 2011-01-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101944480A.PDF（8191KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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