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一种COB的散热结构 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN205213227U, 申请日期: 2016-05-04, 公开日期: 2016-05-04
发明人:  曹芳;  杨昌霖;  林楠
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Material research on the InGaAs-emitting-layer VECSEL grown on GaAs substrate 期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2016, 卷号: 42, 页码: 283-287
作者:  Lin, Tao;  Sun, Ruijuan;  Sun, Hang;  Guo, Enmin;  Duan, Yupeng;  Lin, Nan;  Ma, Xiaoyu;  Wang, Yonggang;  Lin, T
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