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低V型缺陷密度的GaN基多量子阱激光器外延片及制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109873299A, 申请日期: 2019-06-11, 公开日期: 2019-06-11
发明人:  杨静;  赵德刚;  朱建军;  陈平;  刘宗顺;  梁锋
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一种高欧姆接触特性的p型GaN外延片及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109860044A, 申请日期: 2019-06-07, 公开日期: 2019-06-07
发明人:  杨静;  赵德刚;  朱建军;  陈平;  刘宗顺;  梁锋
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