Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种高欧姆接触特性的p型GaN外延片及其制备方法 | |
| 其他题名 | 一种高欧姆接触特性的p型GaN外延片及其制备方法 |
| 杨静; 赵德刚; 朱建军; 陈平; 刘宗顺; 梁锋 | |
| 2019-06-07 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2019-06-07 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种高欧姆接触特性的p型GaN外延片及其制备方法，制备方法包括：步骤1：制备衬底(10)；步骤2：在衬底(10)上外延生长掺镁的GaN层；步骤3：对掺镁的GaN层进行退火，激活掺镁的GaN层中的镁受主，使得掺镁的GaN层转变为p型GaN层(11)；步骤4：在p型GaN层(11)上外延生长p++型GaN盖层(12)。通过在p型GaN层上再生长重掺杂的p++型GaN盖层，且重掺杂的p++型GaN盖层不进行高温退火，从而改善外延片欧姆接触层质量，降低p型材料与金属接触的比接触电阻率。 |
| 其他摘要 | 一种高欧姆接触特性的p型GaN外延片及其制备方法，制备方法包括：步骤1：制备衬底(10)；步骤2：在衬底(10)上外延生长掺镁的GaN层；步骤3：对掺镁的GaN层进行退火，激活掺镁的GaN层中的镁受主，使得掺镁的GaN层转变为p型GaN层(11)；步骤4：在p型GaN层(11)上外延生长p++型GaN盖层(12)。通过在p型GaN层上再生长重掺杂的p++型GaN盖层，且重掺杂的p++型GaN盖层不进行高温退火，从而改善外延片欧姆接触层质量，降低p型材料与金属接触的比接触电阻率。 |
| 申请日期 | 2019-01-31 |
| 专利号 | CN109860044A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201910103255 |
| 公开（公告）号 | CN109860044A |
| IPC 分类号 | H01L21/324 | H01L33/00 | H01L33/02 | H01S5/30 |
| 专利代理人 | 周天宇 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92406 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨静,赵德刚,朱建军,等. 一种高欧姆接触特性的p型GaN外延片及其制备方法. CN109860044A[P]. 2019-06-07. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN109860044A.PDF（382KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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