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单晶氮化镓基板、单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100435268C, 申请日期: 2008-11-19, 公开日期: 2008-11-19
发明人:  元木健作;  弘田龙;  冈久拓司;  中畑成二
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