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GaN系結晶膜の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4390090B2, 申请日期: 2009-10-16, 公开日期: 2009-12-24
发明人:  伊藤 茂稔;  近江 晋
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氮化物半导体发光器件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100454694C, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2009-01-21
发明人:  花冈大介;  石田真也;  高谷邦启;  伊藤茂稔
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