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一种发光效率增强的半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106410605B, 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27
发明人:  魏志鹏;  方铉;  牛守柱;  唐吉龙;  王登魁;  房丹;  王海珠;  李金华;  楚学影;  马晓辉;  王晓华
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一种铟磷铋材料及其制备方法和使用该材料的激光器及其制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN107565383B, 申请日期: 2019-02-12, 公开日期: 2019-02-12
发明人:  梁丹;  王庶民;  张丽
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Enhanced optical properties of zns-zno (nanocomposite) quantum dots prepared by a cost-effective method for optolectronic devices 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: IN201741004351A, 申请日期: 2018-08-10, 公开日期: 2018-08-10
发明人:  DR.G.JANITA CHRISTOBEL,;  DR.C.K. MAHADEVAN
收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2019/12/31
金属氟化物红色磷光体和使用其的发光元件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108350356A, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2018-07-31
发明人:  金昌海;  房甫剋;  崔刚植;  朴俊奎;  金旼奭;  孙基先
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固体照明装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2014235859A, 申请日期: 2014-12-15, 公开日期: 2014-12-15
发明人:  木下 順一;  池田 善久
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Group III nitride semiconductor light emitting device and method of fabricating group III nitride semiconductor light emitting device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8872156, 申请日期: 2014-10-28, 公开日期: 2014-10-28
发明人:  YONEMURA, TAKUMI;  KYONO, TAKASHI;  ENYA, YOHEI
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High brightness illumination system and wavelength conversion module for microscopy and other applications 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20130314893A1, 申请日期: 2013-11-28, 公开日期: 2013-11-28
发明人:  PAQUETTE, MICHEL
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面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2013179307A, 申请日期: 2013-09-09, 公开日期: 2013-09-09
发明人:  石井 稔浩;  牧田 憲吾;  軸谷 直人;  原坂 和宏;  佐藤 俊一;  菅原 悟
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半導体積層構造の評価方法及び光半導体装置の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP5310024B2, 申请日期: 2013-07-12, 公开日期: 2013-10-09
发明人:  松本 武;  今井 元
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半導体素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010040926A, 申请日期: 2010-02-18, 公开日期: 2010-02-18
发明人:  岸野 克巳;  野村 一郎;  田才 邦彦;  山口 恭司;  中村 均;  藤崎 寿美子;  紀川 健
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