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全光固体超快探测芯片和全光固体超快探测器 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN201921026323.2, 申请日期: 2020-04-03, 公开日期: 2020-04-03
发明人:  汪韬;  高贵龙;  何凯;  闫欣;  田进寿;  李少辉;  尹飞;  辛丽伟
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全光固体超快探测芯片、全光固体超快探测器及其探测方法 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: CN201910594755.1, 申请日期: 2019-07-03, 公开日期: 2019-11-01
发明人:  汪韬;  高贵龙;  何凯;  闫欣;  田进寿;  李少辉;  尹飞;  辛丽伟
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InAsSb材料的LP-MOCVD生长 期刊论文
半导体光电, 2015, 卷号: 36, 期号: 5, 页码: 733-735+740
作者:  徐庆安;  邵逸恺;  汪韬;  尹飞;  闫欣;  辛丽伟;  王警卫
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大面积InGaAs-MSM光电探测器研制及其暗电流特性分析 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  闫欣
Adobe PDF(3188Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：285/5  |  提交时间：2015/05/20
红外探测器  Ingaas  Msm  Mocvd  暗电流