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大功率LED的封装及其散热基板的研究 学位论文
: 中国科学院西安光学精密机械研究所, 2007
作者:  李华平
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功率型-led封装  Mcpcb  热沉  有限元法  Aln薄膜  等离子微弧氧化  淬冷  微观结构  
基于预处理衬底GaN外延生长及器件研究 学位论文
: 中国科学院西安光学精密机械研究所, 2007
作者:  彭冬生
Adobe PDF(3496Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：346/1  |  提交时间：2011/10/09
Gan  Mocvd  表面处理  发光二极管  
Study of GSMBE growth and characteristics of high-quality strained In0.63Ga0.37As/InP quantum wells 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1997, 卷号: 180, 期号: 1, 页码: 22-26
作者:  Wang, XL;  Sun, DZ;  Kong, MY;  Hou, X;  Zeng, YP
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Quantum Wells  Gsmbe  Ingaas/inp  Photoluminescence