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中国科学院西安光学精密机械研究所机构知识库
Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
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研究单元&专题
半导体激光器专利数... [30]
作者
李华 [1]
文献类型
专利 [30]
发表日期
2002 [30]
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OPT OpenIR
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专题:半导体激光器专利数据库
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发表日期:2002
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Learned behavior laser diode controller
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20020190196A1, 申请日期: 2002-12-19, 公开日期: 2002-12-19
发明人:
REGEV, ZVI
;
REGEV, ALON
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2019/12/31
Indium gallium nitride smoothing structures for iii-nitride devices
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20020171091A1, 申请日期: 2002-11-21, 公开日期: 2002-11-21
发明人:
GOETZ, WERNER K.
;
CAMRAS, MICHAEL D.
;
GARDNER, NATHAN F.
;
KERN, R. SCOTT
;
KIM, ANDREW Y.
;
STOCKMAN, STEPHEN A.
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2019/12/30
Semiconductor laser device, method of fabricating the same and optical information reproduction apparatus
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20020141468A1, 申请日期: 2002-10-03, 公开日期: 2002-10-03
发明人:
ITO, SHIGETOSHI
;
YAMASAKI, YUKIO
;
KAWAKAMI, TOSHIYUKI
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2019/12/31
Heterodyne optical spectrum analyzer with provisions for intensity noise subtraction
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1241807A2, 申请日期: 2002-09-18, 公开日期: 2002-09-18
发明人:
BANEY, DOUGLAS M.
;
SZAFRANIEC, BOGDAN
Adobe PDF(406Kb)
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2019/12/31
Laser diodes
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: GB2373369A, 申请日期: 2002-09-18, 公开日期: 2002-09-18
发明人:
RICHARD, VINCENT, PENTY
;
IAN, HUGH, WHITE
;
LAURENCE, JOHN, SARGENT
;
AENEAS, BENEDICT, MASSARA
Adobe PDF(781Kb)
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2020/01/18
High-Density Electronic Circuit Modules
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1237191A2, 申请日期: 2002-09-04, 公开日期: 2002-09-04
发明人:
SPITZER, MARK B.
;
JACOBSEN, JEFFREY
;
VU, DUY-PHACH
;
DINGLE, BRENDA
;
CHEONG, NGWE
Adobe PDF(1116Kb)
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2019/12/31
Apparatus and method for controlling light intensity
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: GB2328788B, 申请日期: 2002-08-14, 公开日期: 2002-08-14
发明人:
TADASHI, , MINAKUCHI
;
MAKOTO, , NUKUI
;
MITSUNORI, , IIMA
Adobe PDF(2996Kb)
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2019/12/23
Semiconductor laser device and optical processing system using the device
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6430204, 申请日期: 2002-08-06, 公开日期: 2002-08-06
发明人:
TANAKA, TOSHIAKI
Adobe PDF(355Kb)
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2019/12/26
MOCVD-grown InGaAsN using efficient and novel precursor, tertibutylhydrazine, for optoelectronic and electronic device applications
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20020102847A1, 申请日期: 2002-08-01, 公开日期: 2002-08-01
发明人:
SHARPS, PAUL R.
;
HOU, HONG QI
;
LI, NEIN-YI
;
KANJOLIA, RAVI
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2019/12/31
Manufacturing method of compound semiconductor wafer
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1227176A2, 申请日期: 2002-07-31, 公开日期: 2002-07-31
发明人:
TAMURA, SATOSHI
;
OGAWA, MASAHIRO
;
ISHIDA, MASAHIRO
;
YURI, MASAAKI
Adobe PDF(448Kb)
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2020/01/13