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中国科学院西安光学精密机械研究所机构知识库
Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
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半导体激光器专利数... [60]
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2004 [2]
2003 [2]
2002 [4]
1999 [1]
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专题:半导体激光器专利数据库
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Light emitting diode package, light source module, and lighting system including the same
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP2562832A2, 申请日期: 2013-02-27, 公开日期: 2013-02-27
发明人:
JUNG, SU JUNG
;
MOON,, YON TAE
;
CHO, YOUNG JUN
;
HWANG, SON KYO
;
KIM, BYUNG MOK
;
KWON, SEO YEON
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提交时间:2019/12/30
Current confining semiconductor light emission divice
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: GB2462701A, 申请日期: 2010-02-24, 公开日期: 2010-02-24
发明人:
KIAN-PAAU GAN
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提交时间:2019/12/31
Method and device for using optical feedback to overcome bandwidth limitations caused by relaxation oscillation in vertical cavity surface emitting lasers (vcsels)
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20090323751A1, 申请日期: 2009-12-31, 公开日期: 2009-12-31
发明人:
JI, CHEN
;
SU, CHUNG-YI
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浏览/下载:143/0
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提交时间:2019/12/31
Reflection type optical sensor device
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP2124263A2, 申请日期: 2009-11-25, 公开日期: 2009-11-25
发明人:
LEE, YONGTAK
;
SONG, YOUNGMIN
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提交时间:2019/12/31
III-nitride compound semiconductor light emitting device
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7622742, 申请日期: 2009-11-24, 公开日期: 2009-11-24
发明人:
KIM, CHANG-TAE
;
KIM, KEUK
;
JEON, SOO-KUN
;
JANG, PIL-GUK
;
KIM, JONG-WON
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提交时间:2019/12/26
Multicomponent barrier layers in quantum well active regions to enhance confinement and speed
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7257143, 申请日期: 2007-08-14, 公开日期: 2007-08-14
发明人:
JOHNSON, RALPH H.
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提交时间:2019/12/26
Light emitting device package and method for manufacturing the same
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1724848A2, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2006-11-22
发明人:
KIM, GEUN HO
;
LEE, SEUNG YEOB, 402, JEONGSEOK GREEN VILLA
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提交时间:2019/12/30
Semiconductor light emitting device having quantum well layer sandwiched between carrier confinement layers
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20050145857A1, 申请日期: 2005-07-07, 公开日期: 2005-07-07
发明人:
MARUYAMA, TSUYOSHI
;
ISHII, KAZUHISA
;
SASAKURA, KEN
;
TOMITA, SHOTARO
;
KAWAGUCHI, KEIZO
;
TOMIYOSHI, TOSHIO
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提交时间:2019/12/31
Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1385215A2, 申请日期: 2004-01-28, 公开日期: 2004-01-28
发明人:
NAGAHAMA, SHINICHI
;
SANO, MASAHIKO
;
YANAMOTO, TOMOYA
;
SAKAMOTO, KEIJI
;
YAMAMOTO, MASASHI
;
MORITA, DAISUKE
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提交时间:2019/12/30
Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1385215A2, 申请日期: 2004-01-28, 公开日期: 2004-01-28
发明人:
NAGAHAMA, SHINICHI
;
SANO, MASAHIKO
;
YANAMOTO, TOMOYA
;
SAKAMOTO, KEIJI
;
YAMAMOTO, MASASHI
;
MORITA, DAISUKE
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浏览/下载:66/0
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提交时间:2019/12/30