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VCSEL with integrated electrically modulated intra-cavity graphene absorber 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US9318872, 申请日期: 2016-04-19, 公开日期: 2016-04-19
发明人:  GRAHAM, LUKE A.;  JOHNSON, RALPH H.;  GUENTER, JAMES K.
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Lasers with GaPSb barrier layers 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8976830, 申请日期: 2015-03-10, 公开日期: 2015-03-10
发明人:  JOHNSON, RALPH H.
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Vertical cavity surface emitting laser having strain reduced quantum wells 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8451875, 申请日期: 2013-05-28, 公开日期: 2013-05-28
发明人:  JOHNSON, RALPH H.
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Lasers with quantum wells having high indium and low aluminum with barrier layers having high aluminum and low indium with reduced traps 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: WO2012125997A3, 申请日期: 2013-01-03, 公开日期: 2013-01-03
发明人:  JOHNSON, RALPH, H.;  TATUM, JIMMY, ALAN;  MACINNES, ANDREW, N.;  WADE, JEROME, K.;  GRAHAM, LUKE, A.
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Vertical cavity surface emitting laser having multiple top-side contacts 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8193019, 申请日期: 2012-06-05, 公开日期: 2012-06-05
发明人:  JOHNSON, RALPH H.;  PENNER, R. SCOTT;  BIARD, JAMES ROBERT;  FITZGERALD, COLBY
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VCSEL optimized for high speed data 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8031752, 申请日期: 2011-10-04, 公开日期: 2011-10-04
发明人:  JOHNSON, RALPH H.;  GUENTER, JAMES K.;  BIARD, JAMES R.
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Vertical cavity surface emitting laser with undoped top mirror 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20110090930A1, 申请日期: 2011-04-21, 公开日期: 2011-04-21
发明人:  JOHNSON, RALPH H.;  PENNER, R. SCOTT;  BIARD, JAMES ROBERT
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Light emitting semiconductor device having an electrical confinement barrier near the active region 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7920612, 申请日期: 2011-04-05, 公开日期: 2011-04-05
发明人:  JOHNSON, RALPH H.;  BIARD, JAMES R.;  GUENTER, JAMES K.
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Optimizing VCSEL mirrors for improving temperature response 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7606282, 申请日期: 2009-10-20, 公开日期: 2009-10-20
发明人:  JOHNSON, RALPH H.;  GUENTER, JAMES
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Migration enhanced epitaxy fabrication of active regions having quantum wells 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20090034571A1, 申请日期: 2009-02-05, 公开日期: 2009-02-05
发明人:  JOHNSON, RALPH H.
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