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利用光栅实现锁相的半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101908715A, 申请日期: 2010-12-08, 公开日期: 2010-12-08
发明人:  叶淑娟;  胡永生;  秦莉;  戚晓东;  张楠
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一种互注入锁定的二维表面发射激光器阵列 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101895057A, 申请日期: 2010-11-24, 公开日期: 2010-11-24
发明人:  叶淑娟;  秦莉;  胡永生;  戚晓东;  张楠
Adobe PDF(410Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2019/12/31
一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101820134A, 申请日期: 2010-09-01, 公开日期: 2010-09-01
发明人:  胡理科;  熊聪;  祁琼;  王冠;  马骁宇;  刘素平
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Plasma Properties of 532 nm Laser-Ablated Aluminum E414d Target with Direrent Power Densities 期刊论文
PLASMA SCIENCE & TECHNOLOGY, 2010, 卷号: 12, 期号: 4, 页码: 385-390
作者:  Luo Wenfeng;  Sun Qibing;  Gao Cunxiao;  Tang Jie;  Wang Haojing;  Zhao Wei
Adobe PDF(1424Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：393/3  |  提交时间：2011/07/08
Libs  Plasma  Emission Spectroscopy  
Luminescent properties of Nd3+-doped LaF3 core/shell nanoparticles with enhanced near infrared (NIR) emission 期刊论文
CHEMICAL PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 494, 期号: 1-3, 页码: 60-63
作者:  Cui, Xiaoxia;  She, Jiangbo;  Gao, Chao;  Cui, Kai;  Hou, Chaoqi;  Wei, Wei;  Peng, Bo
Adobe PDF(457Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：170/0  |  提交时间：2015/09/18
一种混合光源腔道照射治疗装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101732806A, 申请日期: 2010-06-16, 公开日期: 2010-06-16
发明人:  张晓峰;  栾博;  郑琪;  朴玉华;  庄学军;  陈秋英
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Nd3+-doped LaF3 nanoparticles with a larger emission cross-section 期刊论文
CHEMICAL PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 489, 期号: 4-6, 页码: 191-194
作者:  Cui, Xiaoxia;  She, Jiangbo;  Cui, Kai;  Gao, Chao;  Hou, Chaoqi;  Wei, Wei;  Peng, Bo;  Cui Xiaoxia
Adobe PDF(432Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：512/7  |  提交时间：2010/12/27
一种半导体激光器空间摆放阵列 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101673922A, 申请日期: 2010-03-17, 公开日期: 2010-03-17
发明人:  高云峰;  吕启涛;  肖岗;  陈建飞
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半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101645578A, 申请日期: 2010-02-10, 公开日期: 2010-02-10
发明人:  福田和久;  笹冈千秋;  多田健太郎;  五十岚俊昭;  宫坂文人;  小松启郎
Adobe PDF(1239Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2020/01/18