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半导体多层衬底、半导体自立衬底及其制备方法以及半导体器件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100547734C, 申请日期: 2009-10-07, 公开日期: 2009-10-07
发明人:  平松和政;  三宅秀人;  土田良彦;  小野善伸;  西川直宏
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半导体封装体用外罩玻璃及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100546041C, 申请日期: 2009-09-30, 公开日期: 2009-09-30
发明人:  伊藤伸敏;  淀川正弘;  三和晋吉;  桥本幸市;  二上勉
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多模光纤的激光次模块结构 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN201307169Y, 申请日期: 2009-09-09, 公开日期: 2009-09-09
发明人:  林大琮;  戴传家;  何宗祐
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波长可调激光器测量方法和控制方法以及激光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101471531A, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 2009-07-01
发明人:  石川务;  町田豊稔;  田中宏和
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氮化物半导体装置及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101442184A, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 2009-05-27
发明人:  盐泽胜臣;  金本恭三;  大石敏之;  黑川博志;  川崎和重;  阿部真司;  佐久间仁
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光收发模块 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101442185A, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 2009-05-27
发明人:  细见和彦;  佐川美铃;  菅原俊树;  青木雅博
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Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体基板的制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101432850A, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 2009-05-13
发明人:  上田和正;  西川直宏;  笠原健司
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