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一种提高Ⅲ－Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1933263A, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21
发明人:  吴惠桢;  曹萌;  劳燕锋;  黄占超;  刘成;  谢正生
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