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半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3505780B2, 申请日期: 2003-12-26, 公开日期: 2004-03-15
发明人:  石橋 晃;  中山 典一;  奥山 浩之
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半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3449751B2, 申请日期: 2003-07-11, 公开日期: 2003-09-22
发明人:  中野 一志;  大畑 豊治;  伊藤 哲;  中山 典一
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