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红外半导体激光器芯片的新型抗反射膜及其镀膜工艺 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106207744A, 申请日期: 2016-12-07, 公开日期: 2016-12-07
发明人:  王昱玺;  刘拓
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一种Si基大功率激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106207752A, 申请日期: 2016-12-07, 公开日期: 2016-12-07
发明人:  李亮;  刘应军;  岳爱文;  王任凡
Adobe PDF(240Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2020/01/18
一种DFB激光器的外延结构 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN205752984U, 申请日期: 2016-11-30, 公开日期: 2016-11-30
发明人:  单智发
Adobe PDF(67Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：155/0  |  提交时间：2019/12/26
具有倒台结构脊波导的半导体激光器芯片及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106159673A, 申请日期: 2016-11-23, 公开日期: 2016-11-23
发明人:  李马惠;  穆瑶
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面発光レーザ、面発光レーザアレイ、レーザ装置、点火装置及び内燃機関 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2016174137A, 申请日期: 2016-09-29, 公开日期: 2016-09-29
发明人:  大倉 佑介;  軸谷 直人;  泉谷 一磨;  原田 慎一
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光半导体装置的制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN105977787A, 申请日期: 2016-09-28, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  松本启资
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光出力を発生する蛍光体に基づく照明デバイス及び方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2016522984A, 申请日期: 2016-08-04, 公开日期: 2016-08-04
发明人:  ピルッチオ ジュゼッペ;  ゴメス リヴァス ハイメ
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光半导体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN105811239A, 申请日期: 2016-07-27, 公开日期: 2016-07-27
发明人:  境野刚
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Method for manufacturing semiconductor device and the semiconductor device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US9373939, 申请日期: 2016-06-21, 公开日期: 2016-06-21
发明人:  MORI, HIROKI;  TANAHASHI, TOSHIYUKI
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一种InP沟槽腐蚀方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN105576499A, 申请日期: 2016-05-11, 公开日期: 2016-05-11
发明人:  苏辉;  张鹏
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