面発光レーザ、面発光レーザアレイ、レーザ装置、点火装置及び内燃機関

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	面発光レーザ、面発光レーザアレイ、レーザ装置、点火装置及び内燃機関
其他题名	面発光レーザ、面発光レーザアレイ、レーザ装置、点火装置及び内燃機関
	大倉佑介; 軸谷直人; 泉谷一磨; 原田慎一
	2016-09-29
专利权人	株式会社リコー
公开日期	2016-09-29
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】活性層の高い利得と高い発光効率とを両立させることができる面発光レーザを提供する。【解決手段】発光部は、面発光レーザであり、基板101、バッファ層102、下部半導体DBR103、下部スペーサ層104、活性層105、上部スペーサ層106、上部半導体DBR107、コンタクト層109、保護膜111、上部電極113、下部電極114などを有している。活性層105は、(Al0.17Ga0.83)0.89In0.11Asからなる量子井戸層と、Al0.2Ga0.8Asからなる障壁層とを有し、下部スペーサ層104及び上部スペーサ層106は、(Al0.4Ga0.6)0.5In0.5Pからなっている。【選択図】図4
其他摘要	发明内容要解决的问题：提供能够实现有源层的高增益和高发光效率的表面发射激光器。解决方案：发光部件是表面发射激光器，并且包括基板101，缓冲层102，下半导体DBR 103，下间隔层104，有源层105，上间隔层106，上半导体DBR 107，接触层109，保护膜111，上电极113，下电极电极114等。有源层105包括包含（AlGa）InAs的量子阱层和包含AlGaAs的势垒层。下间隔层104和上间隔层106包括（AlGa）InP。选择图：图4
主权项	-
申请日期	2015-08-26
专利号	JP2016174137A
专利状态	授权
申请号	JP2015166740
公开（公告）号	JP2016174137A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S3/00 \| H01S3/0941 \| F02P23/04
专利代理人	立石篤司
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/62055
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社リコー
推荐引用方式 GB/T 7714	大倉佑介,軸谷直人,泉谷一磨,等. 面発光レーザ、面発光レーザアレイ、レーザ装置、点火装置及び内燃機関. JP2016174137A[P]. 2016-09-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2016174137A.PDF（159KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文