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固体レーザ装置における光学部品の取付方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006351601A, 申请日期: 2006-12-28, 公开日期: 2006-12-28
发明人:  西田 麻美;  埴原 定政
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GaN系レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006352159A, 申请日期: 2006-12-28, 公开日期: 2006-12-28
发明人:  近江 晋;  伊藤 茂稔;  大野 智輝;  川上 俊之
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半導体レーザ装置の製造方法および接合方法、並びに半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006339511A, 申请日期: 2006-12-14, 公开日期: 2006-12-14
发明人:  今西 大介
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超短超强激光与薄膜靶的相互作用和等离子体通道的时间分辨研究 学位论文
: 中国科学院西安光学精密机械研究所, 2006
作者:  远晓辉
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超短超强激光  超热电子  准静态电磁场  渡越辐射  激光等离子体  
氮化镓系化合物半导体磊晶层结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1877792A, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2006-12-13
发明人:  赖穆人
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高温激光二极管 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1879266A, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2006-12-13
发明人:  B·里德
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オートパワーコントロール回路およびレーザダイオード制御方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006332345A, 申请日期: 2006-12-07, 公开日期: 2006-12-07
发明人:  北川 健太郎;  石橋 博人
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窒化物系半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006332713A, 申请日期: 2006-12-07, 公开日期: 2006-12-07
发明人:  野村 康彦;  狩野 隆司
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半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006332452A, 申请日期: 2006-12-07, 公开日期: 2006-12-07
发明人:  阪田 昌彦;  横田 誠;  曽我部 隆一
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半導体レーザ装置およびそれを備えた光ピックアップ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006324409A, 申请日期: 2006-11-30, 公开日期: 2006-11-30
发明人:  伊藤 隆;  中橋 剛朗;  高木 輝一
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