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다파장 반도체 레이저 제조방법 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: KR1020050123424A, 申请日期: 2005-12-29, 公开日期: 2005-12-29
发明人:  LEE,SANGDON
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半導体レーザーアレイ、半導体レーザーアレイヘッド、印刷用版材製版装置、光走査装置、画像記録装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2005353614A, 申请日期: 2005-12-22, 公开日期: 2005-12-22
发明人:  原 敬
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複合光デバイスの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3752369B2, 申请日期: 2005-12-16, 公开日期: 2006-03-08
发明人:  鈴木 大輔;  木村 達也;  瀧口 透
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電気光学的特性が改善された半導体光放出装置及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3748807B2, 申请日期: 2005-12-09, 公开日期: 2006-02-22
发明人:  張 東勲
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エッチング方法および半導体素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3748998B2, 申请日期: 2005-12-09, 公开日期: 2006-02-22
发明人:  畑 雅幸
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Self-starting mode-locked femtosecond Ti : sapphire laser using saturable, Bragg reflector(SBR) 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2005, 卷号: 54, 期号: 11, 页码: 5184-5188
作者:  Wang, YS;  Liu, HJ;  Cheng, Z;  Zhao, W;  Wang, YG;  Ma, XY;  Zhang, ZG
Adobe PDF(273Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：148/0  |  提交时间：2015/08/14
Saturable Bragg Reflector  Chirped Mirror  Femto-second  Ti : Sapphire Laser  
Glancing-incidence X-ray analysis of ZnO thin films and ZnO/ZnMgO hetero structures grown by laser-MBE 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2005, 卷号: 284, 期号: 1-2, 页码: 123-128
作者:  Yang, XD;  Zhang, JW;  Bi, Z;  He, YN;  Xu, Q;  Wang, HB;  Zhang, WF;  Hou, X
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Glancing Incidence X-ray Analysis  Time-integrated Photoluminescence  X-ray Reflectivity  Laser Mbe  
半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3703927B2, 申请日期: 2005-07-29, 公开日期: 2005-10-05
发明人:  森田 剛徳;  田中 和典;  菅 博文
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반도체 레이저 장치 및 이것을 이용한 광 픽업 장치 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: KR1020050076825A, 申请日期: 2005-07-28, 公开日期: 2005-07-28
发明人:  TAKAYAMA,TORU
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Two wavelength laser module and optical pickup device 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1555662A2, 申请日期: 2005-07-20, 公开日期: 2005-07-20
发明人:  OGASAWARA, MASAKAZU;  SATO, MAKOTO;  MIYACHI, MAMORU;  KIMURA, YOSHINORI
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