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Efficiency analysis of 808 nm laser diode array under different operating temperatures 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2017, 卷号: 66, 期号: 10
作者:  Song Yun-Fei;  Wang Zhen-Fu;  Li Te;  Yang Guo-Wen
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Laser Chip  Power Conversion Efficiency  Temperature  
High-power, high-efficiency 808 nm laser diode array 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 16
作者:  Wang Zhen-Fu;  Yang Guo-Wen;  Wu Jian-Yao;  Song Ke-Chang;  Li Xiu-Shan;  Song Yun-Fei;  Yang, Guo-Wen (yangguowen@opt.ac.cn)
Adobe PDF(439Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：195/0  |  提交时间：2016/10/14
Laser Diode Array  Power Conversion Efficiency  Absorption Loss  Asymmetric Broad Waveguide  
A new method to grow high quality GaN film by MOCVD 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2006, 卷号: 55, 期号: 7, 页码: 3606-3610
作者:  Peng Dong-Sheng;  Feng Yu-Chun;  Wang Wen-Xin;  Liu Xiao-Feng;  Shi Wei;  Niu Han-Ben
Adobe PDF(375Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：192/0  |  提交时间：2015/08/18
Surface Treated  Mocvd  Lateral Epitaxial Overgrown(Leo)  Gan Film  
Self-starting mode-locked femtosecond Ti : sapphire laser using saturable, Bragg reflector(SBR) 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2005, 卷号: 54, 期号: 11, 页码: 5184-5188
作者:  Wang, YS;  Liu, HJ;  Cheng, Z;  Zhao, W;  Wang, YG;  Ma, XY;  Zhang, ZG
Adobe PDF(273Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：145/0  |  提交时间：2015/08/14
Saturable Bragg Reflector  Chirped Mirror  Femto-second  Ti : Sapphire Laser