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半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2723649B2, 申请日期: 1997-11-28, 公开日期: 1998-03-09
发明人:  河西 秀典;  山本 修;  近藤 正樹;  佐々木 和明;  松本 晃広
Adobe PDF(45Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2020/01/13
面発光型半導体レーザー装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2717212B2, 申请日期: 1997-11-14, 公开日期: 1998-02-18
发明人:  伊賀 健一;  石川 徹;  茨木 晃;  古沢 浩太郎
Adobe PDF(16Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2019/12/26
半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2708784B2, 申请日期: 1997-10-17, 公开日期: 1998-02-04
发明人:  浜田 弘喜
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化合物半導体の成長方法及び半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2706369B2, 申请日期: 1997-10-09, 公开日期: 1998-01-28
发明人:  関 章憲;  細羽 弘之;  幡 俊雄;  近藤 雅文;  須山 尚宏;  松井 完益
Adobe PDF(27Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2019/12/24
半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2703997B2, 申请日期: 1997-10-03, 公开日期: 1998-01-26
发明人:  池田 外充
Adobe PDF(177Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2020/01/18
Vielfachhalbleiterlaser 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: DE69312836D1, 申请日期: 1997-09-11, 公开日期: 1997-09-11
发明人:  SHIGIHARA KIMIO C/O MITSUBISHI DENKI K. K. ITAMI-SHI HOGO 664 JP;  WATANABE HITOSHI C/O MITSUBISHI DENKI K. K. ITAMI-SHI HOGO 664 JP;  KADOWAKI TOMOKO C/O MITSUBISHI DENKI K. K. ITAMI-SHI HOGO 664 JP;  NISHIGUCHI HARUMI C/O MITSUBISHI DENKI K. K. ITAMI-SHI HOGO 664 JP;  ISSHIKI KUNIHIKO C/O MITSUBISHI DENKI K. K ITAMI-SHI HOGO 664 JP
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청색 반도체 레이저 다이오드 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: KR1019970005168B1, 申请日期: 1997-09-04, 公开日期: 1997-04-12