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Research on the high indium content InGaAs multiple quantum wells wafers for lambda > 1.55 mu m laser diodes 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2015, 卷号: 631, 页码: 283-287
作者:  Lin, Tao;  Sun, Hang;  Zhang, Haoqing;  Wang, Yonggang;  Lin, Nan;  Ma, Xiaoyu
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Laser Diode  Mocvd  Gaas  Inp  
耐高压超快半导体光导开关 学位论文
: 中国科学院西安光学精密机械研究所, 2007
作者:  景争
Microsoft Word(8205Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：333/1  |  提交时间：2011/10/09
半导体光导开关  半导体工艺  Fs激光点触发  Gaas/inp