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A semiconductor laser device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: EP0549103B1, 申请日期: 1996-02-28, 公开日期: 1996-02-28
发明人:  KAN, YASUO;  TAKAHASHI, KOSEI;  HOSODA, MASAHIRO;  TSUNODA, ATSUO;  TANI, KENTARO;  WATANABE, MASANORI
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A method for the production of semiconductor devices 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: EP0341034B1, 申请日期: 1993-11-24, 公开日期: 1993-11-24
发明人:  HOSODA, MASAHIRO;  KONDO, MASAFUMI;  SUYAMA, TAKAHIRO;  SASAKI, KAZUAKI;  TAKAHASHI, KOSEI;  HAYAKAWA, TOSHIRO
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Semiconductor laser device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US5022036, 申请日期: 1991-06-04, 公开日期: 1991-06-04
发明人:  SUYAMA, TAKAHIRO;  KONDO, MASAFUMI;  SASAKI, KAZUAKI;  HOSODA, MASAHIRO;  TAKAHASHI, KOSEI;  HAYAKAWA, TOSHIRO
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Deterioration-resistant superlattice semiconductor laser device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US4887274, 申请日期: 1989-12-12, 公开日期: 1989-12-12
发明人:  HAYAKAWA, TOSHIRO;  SUYAMA, TAKAHIRO;  TAKAHASHI, KOSEI;  KONDO, MASAFUMI
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A semiconductor laser device 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP0323251A2, 申请日期: 1989-07-05, 公开日期: 1989-07-05
发明人:  HAYAKAWA, TOSHIRO;  SUYAMA, TAKAHIRO;  TAKAHASHI, KOSEI;  KONDO, MASAFUMI
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A semiconductor laser device 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP0311444A2, 申请日期: 1989-04-12, 公开日期: 1989-04-12
发明人:  HAYAKAWA, TOSHIRO;  SUYAMA, TAKAHIRO;  KONDO, MASAFUMI;  TAKAHASHI, KOSEI
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A semiconductor laser device 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP0289308A2, 申请日期: 1988-11-02, 公开日期: 1988-11-02
发明人:  SUYAMA, TAKAHIRO;  TAKAHASHI, KOSEI;  KONDO, MASAFUMI;  HAYAKAWA, TOSHIRO
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A semiconductor laser device 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP0273726A3, 申请日期: 1988-10-05, 公开日期: 1988-10-05
发明人:  HAYAKAWA, TOSHIRO;  SUYAMA, TAKAHIRO;  TAKAHASHI, KOSEI;  KONDO, MASAFUMI
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Semiconductor laser device having an oscillation wavelength in the visible short-wavelength region 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US4759024, 申请日期: 1988-07-19, 公开日期: 1988-07-19
发明人:  HAYAKAWA, TOSHIRO;  SUYAMA, TAKAHIRO;  TAKAHASHI, KOSEI;  YAMAMOTO, SABURO
Adobe PDF(87Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:68/0  |  提交时间:2019/12/24