Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| A semiconductor laser device | |
| 其他题名 | A semiconductor laser device |
| HAYAKAWA, TOSHIRO; SUYAMA, TAKAHIRO; TAKAHASHI, KOSEI; KONDO, MASAFUMI | |
| 1988-10-05 | |
| 专利权人 | SHARP KABUSHIKI KAISHA |
| 公开日期 | 1988-10-05 |
| 授权国家 | 欧洲专利局 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | A semiconductor laser device comprising a double-heterostructure that is composed of an active layer (15) and a pair of cladding layers (13,17) sandwiching the active layer (15) therebetween, a striped structure in which current injected into the laser device is confined, the striped structure being constituted by a part of the double-heterostructure, and optical guiding layers (14,16) positioned between one cladding layer (13) and the active layer (15) and between the active layer (15) and the other cladding layer (17), wherein the resistance of one optical guiding layer (16) positioned at the striped structure side is higher than that of the other optical guiding layer (14) positioned opposite to the striped structure side. |
| 其他摘要 | 一种半导体激光器件，包括双异质结构，该双异质结构由有源层（15）和将有源层（15）夹在其间的一对包层（13,17）组成，条纹结构，其中电流注入激光器件限制，条纹结构由双异质结构的一部分构成，光导引层（14,16）位于一个包层（13）和有源层（15）之间以及有源层（15）之间。另一个包层（17），其中位于条纹结构侧的一个光引导层（16）的电阻高于与条纹结构侧相对的另一个光引导层（14）的电阻。 |
| 申请日期 | 1987-12-23 |
| 专利号 | EP0273726A3 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | EP1987311420 |
| 公开（公告）号 | EP0273726A3 |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/042 | H01S5/20 | H01S5/22 | H01S5/223 | H01S5/323 | H01S3/19 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79516 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP KABUSHIKI KAISHA |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | HAYAKAWA, TOSHIRO,SUYAMA, TAKAHIRO,TAKAHASHI, KOSEI,et al. A semiconductor laser device. EP0273726A3[P]. 1988-10-05. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| EP0273726A3.PDF（234KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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