Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| A semiconductor laser device | |
| 其他题名 | A semiconductor laser device |
| HAYAKAWA, TOSHIRO; SUYAMA, TAKAHIRO; TAKAHASHI, KOSEI; KONDO, MASAFUMI | |
| 1989-07-05 | |
| 专利权人 | SHARP KABUSHIKI KAISHA |
| 公开日期 | 1989-07-05 |
| 授权国家 | 欧洲专利局 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | A semiconductor laser device containing a laser oscillation-operating area which comprises a Ga1-xAlxAs (0≦x≦1) quantum well active layer (16), Ga1-yAlyAs optical guiding layers (15,17) interposing the quantum well active layer therebetween, and Ga1-zAlzAs cladding layers (14,18) superposed on the optical guiding layers, respectively, wherein the AlAs mole fraction y at the area of each of the optical guiding layers (15, 17) positioned in the vicinity of the interface of the optical guiding layers and the quantum well active layer (16) meets the relationships y-x ≧ 0.3 and z-y ≦ 0.25. |
| 其他摘要 | 一种包含激光振荡工作区的半导体激光器件，其包括Ga1-xAlxAs（0≤x≤1）量子阱有源层（16），Ga1-yAlyAs光引导层（15,17），其间插入量子阱有源层和Ga1-zAlzAs包层（14,18）分别叠加在光导层上，其中AlAs摩尔分数y位于每个光导层（15,17）的区域内，位于界面附近。光引导层和量子阱有源层（16）满足关系yx≥0.3且zy≤0.25。 |
| 申请日期 | 1988-12-29 |
| 专利号 | EP0323251A2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | EP1988312400 |
| 公开（公告）号 | EP0323251A2 |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/34 | H01S5/343 | H01S3/19 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | WHITE, MARTIN DAVID |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77589 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP KABUSHIKI KAISHA |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | HAYAKAWA, TOSHIRO,SUYAMA, TAKAHIRO,TAKAHASHI, KOSEI,et al. A semiconductor laser device. EP0323251A2[P]. 1989-07-05. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| EP0323251A2.PDF（609KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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