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Nitride-based laser diode with GaN waveguide/cladding layer 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7123637, 申请日期: 2006-10-17, 公开日期: 2006-10-17
发明人:  KNEISSL, MICHAEL A.;  BOUR, DAVID P.;  ROMANO, LINDA T.;  VAN DE WALLE, CHRISTIAN G.
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Laser diode with metal-oxide upper cladding layer 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20040184497A1, 申请日期: 2004-09-23, 公开日期: 2004-09-23
发明人:  KNEISSL, MICHAEL A.;  ROMANO, LINDA T.;  VAN DE WALLE, CHRISTIAN G.
收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2019/12/31
Distributed feedback laser fabricated by lateral overgrowth of an active region 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6574256, 申请日期: 2003-06-03, 公开日期: 2003-06-03
发明人:  HOFSTETTER, DANIEL;  PAOLI, THOMAS L.;  ROMANO, LINDA T.;  SUN, DECAI;  BOUR, DAVID P.;  KNEISSL, MICHAEL A.;  VAN DE WALLE, CHRIS G.;  JOHNSON, NOBLE M.
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Structure and method for self-aligned, index-guided, buried heterostructure AlGalnN laser diodes 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6567443, 申请日期: 2003-05-20, 公开日期: 2003-05-20
发明人:  BOUR, DAVID P.;  KNEISSL, MICHAEL A.;  ROMANO, LINDA T.;  PAOLI, THOMAS L.;  VAN DE WALLE, CHRISTIAN G.
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Method for nitride based laser diode with growth substrate removed 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6448102, 申请日期: 2002-09-10, 公开日期: 2002-09-10
发明人:  KNEISSL, MICHAEL A.;  BOUR, DAVID P.;  MEI, PING;  ROMANO, LINDA T.
Adobe PDF(1927Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2019/12/24
Structure and method for asymmetric waveguide nitride laser diode 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6430202, 申请日期: 2002-08-06, 公开日期: 2002-08-06
发明人:  VAN DE WALLE, CHRISTIAN G.;  BOUR, DAVID P.;  KNEISSL, MICHAEL A.;  ROMANO, LINDA T.
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Structure and method for index-guided buried heterostructure AlGalnN laser diodes 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20020094003A1, 申请日期: 2002-07-18, 公开日期: 2002-07-18
发明人:  BOUR, DAVID P.;  KNEISSL, MICHAEL A.;  ROMANO, LINDA T.
收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2019/12/31
Structure and method for asymmetric waveguide nitride laser diode 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6389051, 申请日期: 2002-05-14, 公开日期: 2002-05-14
发明人:  VAN DE WALLE, CHRISTIAN G.;  BOUR, DAVID P.;  KNEISSL, MICHAEL A.;  ROMANO, LINDA T.
收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2019/12/26
Removable large area, low defect density films for led and laser diode growth 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6355497, 申请日期: 2002-03-12, 公开日期: 2002-03-12
发明人:  ROMANO, LINDA T.;  KRUSOR, BRENT S.;  CHUA, CHRISTOPHER L.;  JOHNSON, NOBLE M.;  WOOD, ROSE M.;  WALKER, JACK
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MOCVD growth of InGaN quantum well laser structures on a grooved lower waveguiding layer 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6285698, 申请日期: 2001-09-04, 公开日期: 2001-09-04
发明人:  ROMANO, LINDA T.;  HOFSTETTER, DANIEL;  PAOLI, THOMAS L.
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