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III-V族化合物半導体の成長方法及びこの方法を用いた半導体発光素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000012976A, 申请日期: 2000-01-14, 公开日期: 2000-01-14
发明人:  黒田 尚孝;  砂川 晴夫;  笹岡 千秋
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997129981A, 申请日期: 1997-05-16, 公开日期: 1997-05-16
发明人:  黒田 尚孝
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気相成長方法及び埋め込み構造半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2586118B2, 申请日期: 1996-12-05, 公开日期: 1997-02-26
发明人:  黒田 尚孝;  菅生 繁男
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半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2586349B2, 申请日期: 1996-12-05, 公开日期: 1997-02-26
发明人:  黒田 尚孝;  岩田 普
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結晶成長方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996162481A, 申请日期: 1996-06-21, 公开日期: 1996-06-21
发明人:  黒田 尚孝
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光半導体素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994314657A, 申请日期: 1994-11-08, 公开日期: 1994-11-08
发明人:  黒田 尚孝
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