Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 黒田 尚孝 | |
| 1997-05-16 | |
| 专利权人 | 日本電気株式会社 |
| 公开日期 | 1997-05-16 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】InP基板上に低い発振しきい値電圧をもつ光半導体素子の提供。 【解決手段】pクラッド層104(ZnMgCdSe)上にpコンタクト層としてNドープp型ZnTe/Nドープp型ZnSe短周期歪み超格子層(ZnSe:0.3nm/ZnTe:0.3nm、ZnSe:0.4nm/ZnTe:0.4nm、ZnSe:0.5nm/ZnTe:0.5nm、ZnSe:0.6nm/ZnTe:0.6nm、…ZnSe:2nm/ZnTe:2nm、10周期)105を形成し、コンタクト層部分で高いドーピング濃度と良好な結晶性を実現でき、かつ層厚を徐々に大きくすることによってホールに対するバリアを実効的に低くできるため、低い電圧で駆動することができる。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供包括InP衬底的光学半导体器件，其具有低振荡阈值电压。解决方案：在p覆层104上形成p接触层105.p接触层105包括10个短周期的N掺杂p型ZnTe / N掺杂p型ZnSe（ZnTe）的应变超晶格层：0.3nm / ZnSe：0.3nm，ZnTe：0.4nm / ZnSe：0.4nm，ZnTe：0.5nm / ZnSe：0.5nm，ZnTe：0.6nm / ZnSe：0.6nm，..和ZnTe：2nm / ZnSe ：2nm）。接触层具有高掺杂浓度和良好的结晶。另外，通过逐渐增加其厚度，可以有效地对孔具有低阻挡，使得器件可以在低电压下工作。 |
| 申请日期 | 1995-10-31 |
| 专利号 | JP1997129981A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1995306654 |
| 公开（公告）号 | JP1997129981A |
| IPC 分类号 | H01L33/06 | H01L33/30 | H01L33/14 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01S3/18 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 加藤 朝道 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83281 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黒田 尚孝. 半導体発光素子. JP1997129981A[P]. 1997-05-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1997129981A.PDF（137KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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