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埋込み構造半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2780275B2, 申请日期: 1998-05-15, 公开日期: 1998-07-30
发明人:  麻多 進
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半導体レーザ光出力特性シミュレーション方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2778120B2, 申请日期: 1998-05-08, 公开日期: 1998-07-23
发明人:  麻多 進
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半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2591333B2, 申请日期: 1996-12-19, 公开日期: 1997-03-19
发明人:  麻多 進
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高抵抗半導体層埋め込み型半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2550714B2, 申请日期: 1996-08-22, 公开日期: 1996-11-06
发明人:  中村 隆宏;  北村 光弘;  麻多 進
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1995120836B2, 申请日期: 1995-12-20, 公开日期: 1995-12-20
发明人:  北村 光弘;  麻多 進
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半導体面型発光素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993007052A, 申请日期: 1993-01-14, 公开日期: 1993-01-14
发明人:  麻多 進
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