半導体面型発光素子およびその製造方法

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	半導体面型発光素子およびその製造方法
其他题名	半導体面型発光素子およびその製造方法
	麻多進
	1993-01-14
专利权人	日本電気株式会社
公开日期	1993-01-14
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】単一横モードで発振し、しきい値電流の低い半導体面型発光素子およびその製造方法を提供する。【構成】半導体基板10上に1/4波長多層膜構造からなる第1クラッド層11、発光層12、第2クラッド層13を積層し、所望の方向に細長の第1のマスクパターン21を設け、発光層12の真下までエッチングし、第1のマスクパターン21と交差して第2の細長マスクパターン22を設け第1クラッド層11を基板10までエッチングして、残された第1、第2クラッド層上15,16に電極形成した素子構造を有する。【効果】単一横モードが可能な素子サイズでの電流注入が容易となり、低電流動作で高効率のレーザ発振が可能で、光通信や光情報処理用光源に適する。
其他摘要	用途：提供一种平面型半导体发光器件，其在单横向模式下振荡，并具有低阈值电流。组成：板型半导体发光器件具有这样的结构，其中在半导体衬底10上，从衬底开始依次铺设由四分之一波长多层膜结构，发光层12和第二包层11构成的第一包层11。在上述结构上沉积沿所需方向取向的第一掩模图案21的条带，并且将该结构蚀刻掉至发光层12下方。第二掩模图案的条带然后，在与第一掩模图案21交叉的结构上沉积图22所示的结构，并且将第一包层11蚀刻掉到基板10上。在剩余的第一和第二包层15和16上形成电极。这种结构便于引入电流进入具有允许单横向模式振荡的尺寸的元件，并使激光器能够在低电流操作中非常有效地振荡。因此，该装置适用于光通信和光源的应用，用于光学数据处理。
主权项	-
申请日期	1991-06-27
专利号	JP1993007052A
专利状态	失效
申请号	JP1991183321
公开（公告）号	JP1993007052A
IPC 分类号	H01L33/38 \| H01L33/46 \| H01L33/06 \| H01L33/10 \| H01L33/30 \| H01S5/00 \| H01L33/00 \| H01S3/18
专利代理人	本庄伸介
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67779
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電気株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	麻多進. 半導体面型発光素子およびその製造方法. JP1993007052A[P]. 1993-01-14.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1993007052A.PDF（31KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文