埋込み構造半導体レーザ

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	埋込み構造半導体レーザ
其他题名	埋込み構造半導体レーザ
	麻多進
	1998-05-15
专利权人	日本電気株式会社
公开日期	1998-07-30
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To reduce leak current to almost zero, and realize oscillation of high efficiency by arranging a band gap barrier layer between a current flowing part and a current blocking layer, which barrier layer has always a forbidden bandwidth larger than that of an active layer and that of a clad layer. CONSTITUTION:A mesa type current flowing part, in which an active layer 11 is sandwiched by a P-type clad layer 12 and an N-type clad layer 13, is filled with a current blocking layer 14 composed of a semiconductor layer having a deep impurity level. A current blocking layer 15, in which forbidden bandwidth of the parts in contact with the region 11 and the clad layer 12 is always larger than that of region 11 and that of the clad layer 12, is formed. Even in the case where the difference of the forbidden bandwidth at the interface of the part 15 is small, the interface sufficiently operates as a barrier, if only the difference is room temperature energy 0.025eV or more. As a result, leak current component is remarkably reduced. Thereby the leak current becomes almost zero, and oscillation of high efficiency is realized.
其他摘要	目的：将泄漏电流降至几乎为零，并通过在电流流动部分和电流阻挡层之间设置带隙阻挡层来实现高效振荡，该阻挡层的禁带宽度始终大于有源层的禁带宽度。包层的那个。组成：台面型电流流动部分，其中有源层11夹在P型覆层12和N型覆层13之间，填充有由具有深的半导体层组成的电流阻挡层14杂质水平。形成电流阻挡层15，其中与区域11和包层12接触的部分的禁带宽度总是大于区域11和包层12的禁带宽度。即使在部件15的界面处的禁带宽度差异较小的情况下，如果仅差值是室温能量0.025eV或更大，则界面充分地用作屏障。结果，漏电流分量显着降低。由此泄漏电流几乎变为零，并且实现了高效率的振荡。
授权日期	1998-05-15
申请日期	1988-08-31
专利号	JP2780275B2
专利状态	失效
申请号	JP1988219361
公开（公告）号	JP2780275B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	京本直樹
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38799
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電気株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	麻多進. 埋込み構造半導体レーザ. JP2780275B2[P]. 1998-05-15.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2780275B2.PDF（55KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文