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半導体光集積素子および半導体光集積素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010109215A, 申请日期: 2010-05-13, 公开日期: 2010-05-13
发明人:  鶴岡 清貴;  加藤 友章;  佐藤 健二;  須藤 信也;  岡本 健志;  水谷 健二;  森本 卓夫
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外部共振器型レーザモジュール及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010016032A, 申请日期: 2010-01-21, 公开日期: 2010-01-21
发明人:  水谷 健二;  佐藤 健二;  須藤 信也
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半導体光集積素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009038120A, 申请日期: 2009-02-19, 公开日期: 2009-02-19
发明人:  鶴岡 清貴;  工藤 耕治;  須藤 信也
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