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半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3774503B2, 申请日期: 2006-02-24, 公开日期: 2006-05-17
发明人:  紀川 健;  佐川 みすず;  平本 清久;  野本 悦子;  豊中 隆司;  魚見 和久
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半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000138419A, 申请日期: 2000-05-16, 公开日期: 2000-05-16
发明人:  中塚 慎一;  野本 悦子;  上島 研一;  宮内 恵一;  加藤 佳秋
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半導体レーザ素子及びその作製法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999145553A, 申请日期: 1999-05-28, 公开日期: 1999-05-28
发明人:  中塚 慎一;  野本 悦子;  上島 研一;  加藤 佳秋
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半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997148671A, 申请日期: 1997-06-06, 公开日期: 1997-06-06
发明人:  豊中 隆司;  佐川 みすず;  平本 清久;  篠田 和典;  野本 悦子
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