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氮化物半导体激光元件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107851969A, 申请日期: 2018-03-27, 公开日期: 2018-03-27
发明人:  川口真生;  今藤修;  能崎信一郎;  萩野裕幸
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利用子基座条制造激光二极管单元的装置和方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN103440874B, 申请日期: 2016-12-28, 公开日期: 2016-12-28
发明人:  岛泽幸司;  进藤修;  土屋芳弘;  伊藤靖浩;  酒井贤司
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光源装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104112982A, 申请日期: 2014-10-22, 公开日期: 2014-10-22
发明人:  松尾英典;  笹室岳;  近藤秀树
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半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1574526A, 申请日期: 2005-02-02, 公开日期: 2005-02-02
发明人:  伊藤启司;  木户口勋;  高山彻;  今藤修
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