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半導体レーザ素子およびその製造方法ならびに半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3681460B2, 申请日期: 2005-05-27, 公开日期: 2005-08-10
发明人:  瀧本 真恵;  苅田 秀孝;  上島 研一;  川中 敏;  田中 俊明
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光素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998135561A, 申请日期: 1998-05-22, 公开日期: 1998-05-22
发明人:  山添 哲也;  上島 研一;  田口 英夫;  苅田 秀孝
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埋込型半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995111361A, 申请日期: 1995-04-25, 公开日期: 1995-04-25
发明人:  山下 茂雄;  加藤 佳秋;  佐々木 真二;  依田 亮吉;  苅田 秀孝
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埋込型半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995111360A, 申请日期: 1995-04-25, 公开日期: 1995-04-25
发明人:  山下 茂雄;  依田 亮吉;  加藤 佳秋;  佐々木 真二;  苅田 秀孝
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半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994037389A, 申请日期: 1994-02-10, 公开日期: 1994-02-10
发明人:  加藤 佳秋;  奥山 高康;  苅田 秀孝;  古越 堅司;  柏田 泰利
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