半導体レーザ素子の製造方法

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	半導体レーザ素子の製造方法
其他题名	半導体レーザ素子の製造方法
	加藤佳秋; 奥山高康; 苅田秀孝; 古越堅司; 柏田泰利
	1994-02-10
专利权人	株式会社日立製作所
公开日期	1994-02-10
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】リッジ導波路を有する半導体レーザ素子の製造歩留りを向上させる。【構成】活性層4上にリッジサイド層8の厚さ寸法となる結晶層をエピタキシャル成長法によって形成した後、この結晶層のリッジサイド層形成領域にホトリソグラフィ技術によってマスクを設け、その後エピタキシャル成長法によってマスクから外れた前記結晶層上にエピタキシャル成長層を所定厚さに形成してリッジ7を形成する。前記リッジ7にあっては、リッジ幅は制御性の優れたホトリソグラフィ技術によって決められ、厚さは制御性の優れたエピタキシャル成長法によって決められることから高精度寸法となる。また、リッジサイド層は制御性の優れたエピタキシャル成長法によって厚さ寸法は高精度に形成される。
其他摘要	用途：提高具有脊形波导的半导体激光器件的制造产量。组成：通过外延生长方法在有源层4上形成厚度为脊侧层8的厚度的晶体层之后，通过光刻技术提供掩模以覆盖脊侧层形成区域然后，在从掩模露出的晶体层的一部分上形成晶体层，然后形成具有所需厚度的外延生长层，以形成脊7.由于脊宽度由可控性优异的光刻技术和脊厚度确定。通过外延生长方法确定其可控性优异，脊7的尺寸高度精确。此外，由于可控性优异的外延生长方法，脊侧层的厚度可以高度精确。
申请日期	1992-07-16
专利号	JP1994037389A
专利状态	失效
申请号	JP1992188521
公开（公告）号	JP1994037389A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	秋田収喜
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76483
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社日立製作所
推荐引用方式 GB/T 7714	加藤佳秋,奥山高康,苅田秀孝,等. 半導体レーザ素子の製造方法. JP1994037389A[P]. 1994-02-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1994037389A.PDF（35KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文