半導体レーザ素子およびその製造方法ならびに半導体レーザ装置

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	半導体レーザ素子およびその製造方法ならびに半導体レーザ装置
其他题名	半導体レーザ素子およびその製造方法ならびに半導体レーザ装置
	瀧本真恵; 苅田秀孝; 上島研一; 川中敏; 田中俊明
	2005-05-27
专利权人	日本オプネクスト株式会社
公开日期	2005-08-10
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】電気容量低減型半導体レーザの高出力·長寿命化。【解決手段】 n型GaAs基板と、前記n型GaAs基板の主面にn型GaAsバッファ層を介して設けられたn型AlGaInP光導波層と、前記n型AlGaInP光導波層上に設けられた活性層(GaInP/AlXGa1-XInP歪多重量子井戸構造活性層)と、前記活性層上に設けられたp型AlGaInP光導波層と、前記p型AlGaInP光導波層側から設けられかつ前記活性層を貫いて前記n型AlGaInP光導波層の表層部分にまで到達する2条の溝と、前記2条の溝に挟まれかつ光導波路を含む帯状の光導波路形成部とを有する半導体レーザ素子であって、前記溝は前記光導波路形成部の端側で屈曲し前記光導波路形成部の端部分の幅が他の部分に比較して広くなっている。【効果】光導波路形成部の端での放熱性が高く高出力化·長寿命化が図れる。
其他摘要	要解决的问题：增加电容减少型半导体激光器的输出和寿命。 n型GaAs衬底，通过n型GaAs缓冲层设置在n型GaAs衬底主表面上的n型AlGaInP光波导层和n型AlGaInP光波导层活性层（GaInP / AlxGa1-xInP应变多量子阱结构有源层）和有源层上提供的p型AlGaInP光波导层并且，从p型AlGaInP导光层侧提供两个沟槽并穿透有源层以到达n型AlGaInP光导层的表面层部分，并插入两个沟槽之间一种半导体激光器件，具有包括波导的条状光波导形成部分，其中凹槽在光波导形成部分的端侧弯曲，并且光波导形成部分的端部的宽度与其它部分相比较;它越来越广了。 [效果]光波导形成部分的端部处的散热高，从而可以实现高功率和长寿命。
授权日期	2005-05-27
申请日期	1996-02-27
专利号	JP3681460B2
专利状态	失效
申请号	JP1996039185
公开（公告）号	JP3681460B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/042 \| H01S5/00
专利代理人	秋田収喜
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39311
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本オプネクスト株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	瀧本真恵,苅田秀孝,上島研一,等. 半導体レーザ素子およびその製造方法ならびに半導体レーザ装置. JP3681460B2[P]. 2005-05-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3681460B2.PDF（163KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文