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双波长半导体激光装置及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101394065B, 申请日期: 2011-11-16, 公开日期: 2011-11-16
发明人:  粂雅博;  高山彻;  高须贺祥一;  木户口勋
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010021342A, 申请日期: 2010-01-28, 公开日期: 2010-01-28
发明人:  村沢 智;  高山 徹;  粂 雅博
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窒化物半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009283511A, 申请日期: 2009-12-03, 公开日期: 2009-12-03
发明人:  佐藤 智也;  高山 徹;  粂 雅博;  木戸口 勲
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双波长半导体激光器装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101533991A, 申请日期: 2009-09-16, 公开日期: 2009-09-16
发明人:  早川功二;  高山彻;  粂雅博;  佐藤智也;  木户口勋
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半导体激光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1855649A, 申请日期: 2006-11-01, 公开日期: 2006-11-01
发明人:  粂雅博;  岛本敏孝;  木户口勋;  宇野智昭
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半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3792003B2, 申请日期: 2006-04-14, 公开日期: 2006-06-28
发明人:  上村 信行;  長谷川 義晃;  石橋 明彦;  原 義博;  木戸口 勲;  粂 雅博
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氮化物半导体器件制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1170347C, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2004-10-06
发明人:  木户口勋;  石桥明彦;  粂雅博;  伴雄三郎;  上山智
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波长变换波导式激光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1116724C, 申请日期: 2003-07-30, 公开日期: 2003-07-30
发明人:  永井秀男;  高山徹;  粂雅博;  吉川昭男
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半導体レーザ装置、光ディスク装置及び光集積化装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2003133648A, 申请日期: 2003-05-09, 公开日期: 2003-05-09
发明人:  粂 雅博;  木戸口 勲;  伴 雄三郎;  宮永 良子;  鈴木 政勝
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2002305348A, 申请日期: 2002-10-18, 公开日期: 2002-10-18
发明人:  菅原 岳;  木戸口 勲;  宮永 良子;  鈴木 政勝;  粂 雅博;  伴 雄三郎;  平山 福一
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