Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 双波长半导体激光装置及其制造方法 | |
| 其他题名 | 双波长半导体激光装置及其制造方法 |
| 粂雅博; 高山彻; 高须贺祥一; 木户口勋 | |
| 2011-11-16 | |
| 专利权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 公开日期 | 2011-11-16 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明提供一种双波长半导体激光装置及其制造方法，其可以抑制由掺杂剂的扩散引起的不良状况的产生。本发明的双波长半导体激光装置，在化合物半导体构成的基板(10)上，堆积第1半导体激光元件(1)和第2半导体激光元件(2)，将所述第1半导体激光元件(1)的蚀刻阻止层(15)的构成材料用和第2半导体激光元件(2)的蚀刻阻止层(25)的构成材料相比杂质不易扩散的材料。 |
| 其他摘要 | 本发明提供一种双波长半导体激光装置及其制造方法，其可以抑制由掺杂剂的扩散引起的不良状况的产生。本发明的双波长半导体激光装置，在化合物半导体构成的基板(10)上，堆积第1半导体激光元件(1)和第2半导体激光元件(2)，将所述第1半导体激光元件(1)的蚀刻阻止层(15)的构成材料用和第2半导体激光元件(2)的蚀刻阻止层(25)的构成材料相比杂质不易扩散的材料。 |
| 授权日期 | 2011-11-16 |
| 申请日期 | 2008-09-19 |
| 专利号 | CN101394065B |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200810213598.7 |
| 公开（公告）号 | CN101394065B |
| IPC 分类号 | H01S5/40 | H01S5/30 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 汪惠民 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42581 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 粂雅博,高山彻,高须贺祥一,等. 双波长半导体激光装置及其制造方法. CN101394065B[P]. 2011-11-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101394065B.PDF（967KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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