半导体激光装置

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	半导体激光装置
其他题名	半导体激光装置
	粂雅博; 岛本敏孝; 木户口勋; 宇野智昭
	2006-11-01
专利权人	松下电器产业株式会社
公开日期	2006-11-01
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种半导体激光装置。目的在于：能够在将波长不同的多个半导体激光元件形成为单片(monolithic)的半导体激光装置中很容易地形成可获得高输出特性及高可靠性的端面涂敷膜。半导体激光装置，形成在由n型GaAs构成的衬底101上，具有射出第1振荡波长为λ1的激光的红色半导体激光元件1，以及射出第2振荡波长为λ2 (λ2≥λ1)的激光的红外线半导体激光元件2。在各半导体激光元件1及2中的射出各激光的射出端面140上，形成对于第1振荡波长λ1和第2振荡波长λ2之间的波长λ，折射率为n1且膜厚大致为λ/8n1的第1电介质膜，在该第1电介质膜上形成有折射率为n2且膜厚大致为λ/8n2的第2电介质膜。
其他摘要	本发明公开了一种半导体激光装置。目的在于：能够在将波长不同的多个半导体激光元件形成为单片(monolithic)的半导体激光装置中很容易地形成可获得高输出特性及高可靠性的端面涂敷膜。半导体激光装置，形成在由n型GaAs构成的衬底101上，具有射出第1振荡波长为λ1的激光的红色半导体激光元件1，以及射出第2振荡波长为λ2 (λ2≥λ1)的激光的红外线半导体激光元件2。在各半导体激光元件1及2中的射出各激光的射出端面140上，形成对于第1振荡波长λ1和第2振荡波长λ2之间的波长λ，折射率为n1且膜厚大致为λ/8n1的第1电介质膜，在该第1电介质膜上形成有折射率为n2且膜厚大致为λ/8n2的第2电介质膜。
申请日期	2005-12-22
专利号	CN1855649A
专利状态	失效
申请号	CN200510138112.4
公开（公告）号	CN1855649A
IPC 分类号	H01S5/028 \| G11B7/125 \| H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01S5/40
专利代理人	汪惠民
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86294
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下电器产业株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	粂雅博,岛本敏孝,木户口勋,等. 半导体激光装置. CN1855649A[P]. 2006-11-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1855649A.PDF（1473KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文