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半導体レーザ素子とその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3291431B2, 申请日期: 2002-03-22, 公开日期: 2002-06-10
发明人:  ▲広▼山 良治;  上谷 ▲高▼弘;  太田 潔;  米田 幸司;  庄野 昌幸;  茨木 晃;  吉年 慶一
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半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2804533B2, 申请日期: 1998-07-17, 公开日期: 1998-09-30
发明人:  別所 靖之;  米田 幸司;  吉年 慶一;  山口 隆夫
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半導体レーザ素子及び光学記録媒体駆動装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998135569A, 申请日期: 1998-05-22, 公开日期: 1998-05-22
发明人:  庄野 昌幸;  ▲広▼山 良治;  米田 幸司;  西田 豊三;  別所 靖之
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997321385A, 申请日期: 1997-12-12, 公开日期: 1997-12-12
发明人:  ▲広▼山 良治;  上谷 ▲高▼弘;  太田 潔;  米田 幸司;  庄野 昌幸;  茨木 晃;  吉年 慶一
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半導体レ—ザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2538258B2, 申请日期: 1996-07-08, 公开日期: 1996-09-25
发明人:  米田 幸司
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半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994169134A, 申请日期: 1994-06-14, 公开日期: 1994-06-14
发明人:  米田 幸司
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994152051A, 申请日期: 1994-05-31, 公开日期: 1994-05-31
发明人:  米田 幸司
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994005974A, 申请日期: 1994-01-14, 公开日期: 1994-01-14
发明人:  米田 幸司;  井上 泰明
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993190971A, 申请日期: 1993-07-30, 公开日期: 1993-07-30
发明人:  田尻 敦志;  田渕 規夫;  米田 幸司;  吉年 慶一
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半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993021906A, 申请日期: 1993-01-29, 公开日期: 1993-01-29
发明人:  米田 幸司;  田渕 規夫
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