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半導体発光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3557644B2, 申请日期: 2004-05-28, 公开日期: 2004-08-25
发明人:  奥山 浩之;  秋本 克洋;  石橋 晃;  白石 誠司;  伊藤 哲;  中野 一志;  池田 昌夫;  日野 智公;  浮田 昌一
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998303507A, 申请日期: 1998-11-13, 公开日期: 1998-11-13
发明人:  白石 誠司;  石橋 晃
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半導体発光素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998294494A, 申请日期: 1998-11-04, 公开日期: 1998-11-04
发明人:  戸田 淳;  石橋 晃;  白石 誠司;  野口 裕泰;  左中 由美;  長井 政春;  ジョン フランシス ドネガン;  クリストフ ジョーダン;  デイビッド トーマス フューワー;  エスネ マリー マッキャプ
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半導体発光素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998022587A, 申请日期: 1998-01-23, 公开日期: 1998-01-23
发明人:  河角 孝行;  白石 誠司;  奥山 浩之;  中野 一志
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997321387A, 申请日期: 1997-12-12, 公开日期: 1997-12-12
发明人:  白石 誠司
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II-VI族化合物半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996018161A, 申请日期: 1996-01-19, 公开日期: 1996-01-19
发明人:  池田 昌夫;  塚本 弘範;  谷口 理;  伊藤 哲;  白石 誠司
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II-VI族化合物半導体の成長方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995273054A, 申请日期: 1995-10-20, 公开日期: 1995-10-20
发明人:  石橋 晃;  伊藤 哲;  松元 理;  白石 誠司;  湊屋 理佳子;  樋江井 太
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995111368A, 申请日期: 1995-04-25, 公开日期: 1995-04-25
发明人:  白石 誠司;  浮田 昌一
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