Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| II-VI族化合物半導体の成長方法 | |
| 其他题名 | II-VI族化合物半導体の成長方法 |
| 石橋 晃; 伊藤 哲; 松元 理; 白石 誠司; 湊屋 理佳子; 樋江井 太 | |
| 1995-10-20 | |
| 专利权人 | SONY CORP |
| 公开日期 | 1995-10-20 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 キャリア濃度が十分に高いp型のII-VI族化合物半導体あるいは低欠陥密度で結晶性に優れたII-VI族化合物半導体を成長させることを可能とする。 【構成】 GaAs基板などの半導体基板上にp型のII-VI族化合物半導体を分子線エピタキシー法などにより気相成長させるときに、{100}面から〈01-1〉方向に小さな角度だけオフした主面、〈011〉方向に小さな角度だけオフした主面または〈01-1〉方向に小さな角度だけオフし、さらに〈011〉方向に小さな角度だけオフした主面を有する半導体基板1を用いる。低欠陥密度のII-VI族化合物半導体を成長させるためには、特に、{100}面から〈01-1〉方向に小さな角度だけオフした主面を有する半導体基板1を用いる。 |
| 其他摘要 | 目的：使具有足够高载流子浓度的p型II-VI化合物或具有低缺陷密度和优异结晶的II-VI化合物半导体生长。组成：当通过分子束外延方法在诸如GaAs衬底的半导体衬底上气相生长p型II-VI化合物半导体时，半导体衬底1的主表面偏离小角度。 （100）以小角度的方向表面，并且主表面在（011）方向上以小角度离开或者主表面在（01-1）方向上以小角度进一步偏离主表面使用小角度在（011）方向上关闭。为了使低缺陷密度的II-VI化合物半导体生长，特别是使用主表面与（01-1）方向上的（100）偏离小角度的半导体衬底1。 |
| 申请日期 | 1994-11-28 |
| 专利号 | JP1995273054A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994317514 |
| 公开（公告）号 | JP1995273054A |
| IPC 分类号 | H01L21/363 | H01L21/203 | H01L21/205 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 杉浦 正知 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82012 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石橋 晃,伊藤 哲,松元 理,等. II-VI族化合物半導体の成長方法. JP1995273054A[P]. 1995-10-20. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1995273054A.PDF（71KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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