Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 白石 誠司; 石橋 晃 | |
| 1998-11-13 | |
| 专利权人 | SONY CORP |
| 公开日期 | 1998-11-13 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 通電時の動作電圧の増加を抑制することにより、素子の長寿命化および信頼性の向上を図ることができるII-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 ZnCdSe層を活性層、ZnSSe層を光導波層、ZnMgSSe層をクラッド層とするSCH構造の半導体レーザにおいて、n型ZnMgSSeクラッド層4,6の間に、n型ZnMgSSeクラッド層4,6のバンドギャップよりも小さいバンドギャップを有するn型ZnSSe光吸収層5を挿入する。n型ZnSSe光吸収層5はZnCdSe活性層6の中心からの距離が500nm以下、好適には100nm以上400nmの位置に挿入し、n型ZnSSe光吸収層5の厚さは300nm以下、好適には100nm以上300nm以下、より好適には100nm以上250nm以下とする。 |
| 其他摘要 | 提供一种使用II-VI族化合物半导体的半导体发光元件，其抑制通电时的工作电压的增加，从而能够延长元件的寿命和可靠性。 解决方案：在具有其中ZnCdSe层是有源层的SCH结构的半导体激光器中，ZnSSe层是光波导层，ZnMgSSe层是包层，n型ZnMgSSe包层4插入在n型ZnMgSSe包层4之间，插入带隙小于带隙6的n型ZnSSe光吸收层5。 n型ZnSSe光吸收层5插入距离ZnCdSe有源层6的中心500nm或更小的距离，优选100nm至400nm，并且n型ZnSSe光吸收层5的厚度为300nm或更小，优选为100nm以上且300nm以下，更优选为100nm以上且250nm以下。 |
| 申请日期 | 1997-04-25 |
| 专利号 | JP1998303507A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1997109253 |
| 公开（公告）号 | JP1998303507A |
| IPC 分类号 | H01L33/06 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01S3/18 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 杉浦 正知 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80709 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 白石 誠司,石橋 晃. 半導体発光素子. JP1998303507A[P]. 1998-11-13. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1998303507A.PDF（61KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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