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氮化物半导体激光器以及外延基板 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103999305A, 申请日期: 2014-08-20, 公开日期: 2014-08-20
发明人:  京野孝史;  盐谷阳平;  住友隆道;  善积祐介;  上野昌纪;  梁岛克典;  田才邦彦;  中岛博
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氮化物半导体发光元件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103959580A, 申请日期: 2014-07-30, 公开日期: 2014-07-30
发明人:  京野孝史;  盐谷阳平;  上野昌纪;  梁岛克典;  田才邦彦;  中岛博;  风田川统之
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氮化物半导体激光器及外延基板 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103493316A, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2014
发明人:  京野孝史;  盐谷阳平;  住友隆道;  善积祐介;  上野昌纪;  梁岛克典;  田才邦彦;  中岛博
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II-VI族化合物半導体素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010056119A, 申请日期: 2010-03-11, 公开日期: 2010-03-11
发明人:  岸野 克巳;  野村 一郎;  山口 恭司;  田才 邦彦;  中島 博;  中村 均;  藤崎 寿美子
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半導体素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010045165A, 申请日期: 2010-02-25, 公开日期: 2010-02-25
发明人:  岸野 克巳;  野村 一郎;  玉村 好司;  田才 邦彦;  朝妻 庸紀;  中島 博;  中村 均;  藤崎 寿美子;  紀川 健
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半導体素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010040926A, 申请日期: 2010-02-18, 公开日期: 2010-02-18
发明人:  岸野 克巳;  野村 一郎;  田才 邦彦;  山口 恭司;  中村 均;  藤崎 寿美子;  紀川 健
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010040923A, 申请日期: 2010-02-18, 公开日期: 2010-02-18
发明人:  岸野 克巳;  野村 一郎;  田才 邦彦;  玉村 好司;  朝妻 庸紀;  中島 博;  中村 均;  藤崎 寿美子;  紀川 健
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光学装置、光学素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006072244A, 申请日期: 2006-03-16, 公开日期: 2006-03-16
发明人:  田才 邦彦
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半導体素子および半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010016232A, 公开日期: 2010-01-21
发明人:  岸野 克巳;  野村 一郎;  田才 邦彦;  玉村 好司;  朝妻 庸紀;  中島 博;  中村 均;  藤崎 寿美子;  紀川 健
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