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| 氮化物半导体激光器以及外延基板 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN103999305A, 申请日期: 2014-08-20, 公开日期: 2014-08-20 发明人: 京野孝史; 盐谷阳平; 住友隆道; 善积祐介; 上野昌纪; 梁岛克典; 田才邦彦; 中岛博
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| 氮化物半导体发光元件 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN103959580A, 申请日期: 2014-07-30, 公开日期: 2014-07-30 发明人: 京野孝史; 盐谷阳平; 上野昌纪; 梁岛克典; 田才邦彦; 中岛博; 风田川统之
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| 氮化物半导体激光器及外延基板 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN103493316A, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2014 发明人: 京野孝史; 盐谷阳平; 住友隆道; 善积祐介; 上野昌纪; 梁岛克典; 田才邦彦; 中岛博
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| II-VI族化合物半導体素子およびその製造方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010056119A, 申请日期: 2010-03-11, 公开日期: 2010-03-11 发明人: 岸野 克巳; 野村 一郎; 山口 恭司; 田才 邦彦; 中島 博; 中村 均; 藤崎 寿美子
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| 半導体素子 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010045165A, 申请日期: 2010-02-25, 公开日期: 2010-02-25 发明人: 岸野 克巳; 野村 一郎; 玉村 好司; 田才 邦彦; 朝妻 庸紀; 中島 博; 中村 均; 藤崎 寿美子; 紀川 健
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| 半導体素子 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010040926A, 申请日期: 2010-02-18, 公开日期: 2010-02-18 发明人: 岸野 克巳; 野村 一郎; 田才 邦彦; 山口 恭司; 中村 均; 藤崎 寿美子; 紀川 健
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| 半導体発光素子 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010040923A, 申请日期: 2010-02-18, 公开日期: 2010-02-18 发明人: 岸野 克巳; 野村 一郎; 田才 邦彦; 玉村 好司; 朝妻 庸紀; 中島 博; 中村 均; 藤崎 寿美子; 紀川 健
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| 光学装置、光学素子 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006072244A, 申请日期: 2006-03-16, 公开日期: 2006-03-16 发明人: 田才 邦彦
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| 半導体素子および半導体発光素子 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010016232A, 公开日期: 2010-01-21 发明人: 岸野 克巳; 野村 一郎; 田才 邦彦; 玉村 好司; 朝妻 庸紀; 中島 博; 中村 均; 藤崎 寿美子; 紀川 健
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