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外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101588019B, 申请日期: 2012-05-23, 公开日期: 2012-05-23
发明人:  沈光地;  徐晨;  解意洋;  陈弘达;  阚强;  王春霞;  刘英明;  王宝强
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外腔大功率三有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN201435526Y, 申请日期: 2010-03-31, 公开日期: 2010-03-31
发明人:  徐晨;  解意洋;  刘英明;  王宝强;  阚强;  王春霞
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低阈值内腔三有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN201435527Y, 申请日期: 2010-03-31, 公开日期: 2010-03-31
发明人:  徐晨;  解意洋;  王宝强;  刘英明;  阚强;  王春霞
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低阈值内腔三有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN201435527Y, 申请日期: 2010-03-31, 公开日期: 2010-03-31
发明人:  徐晨;  解意洋;  王宝强;  刘英明;  阚强;  王春霞
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内腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101588018A, 申请日期: 2009-11-25, 公开日期: 2009-11-25
发明人:  徐晨;  解意洋;  沈光地;  陈弘达;  阚强;  王春霞;  刘英明;  王宝强
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铟砷/镓砷量子点的分子束外延生长方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1929154A, 申请日期: 2007-03-14, 公开日期: 2007-03-14
发明人:  吴巨;  王宝强;  朱战平;  曾一平
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