Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 铟砷/镓砷量子点的分子束外延生长方法 | |
| 其他题名 | 铟砷/镓砷量子点的分子束外延生长方法 |
| 吴巨; 王宝强; 朱战平; 曾一平 | |
| 2007-03-14 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2007-03-14 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种铟砷/镓砷量子点的分子束外延生长方法，是在镓砷基体上分子束外延沉积两层铟砷，通过调控变化第二层铟砷的沉积温度，控制量子点的发光波长；其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底上生长一层厚的外延层；步骤3：在外延层上沉积第一铟砷层，通过控制第一铟砷层的生长温度确定量子点面密度。步骤4：在第一铟砷层上沉积镓砷间隔层；步骤5：在镓砷间隔层上沉积第二铟砷层，第二铟砷层的生长温度决定了量子的发光波长；步骤6：在第二铟砷层上覆盖镓砷盖层，完成器件的制作。 |
| 其他摘要 | 一种铟砷/镓砷量子点的分子束外延生长方法，是在镓砷基体上分子束外延沉积两层铟砷，通过调控变化第二层铟砷的沉积温度，控制量子点的发光波长；其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底上生长一层厚的外延层；步骤3：在外延层上沉积第一铟砷层，通过控制第一铟砷层的生长温度确定量子点面密度。步骤4：在第一铟砷层上沉积镓砷间隔层；步骤5：在镓砷间隔层上沉积第二铟砷层，第二铟砷层的生长温度决定了量子的发光波长；步骤6：在第二铟砷层上覆盖镓砷盖层，完成器件的制作。 |
| 申请日期 | 2005-09-08 |
| 专利号 | CN1929154A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200510086372.1 |
| 公开（公告）号 | CN1929154A |
| IPC 分类号 | H01L33/00 | H01L21/20 | H01S5/30 |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92029 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴巨,王宝强,朱战平,等. 铟砷/镓砷量子点的分子束外延生长方法. CN1929154A[P]. 2007-03-14. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1929154A.PDF（274KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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